粉末原子層沉積通過(guò)交替地引入氣體與粉末進(jìn)行表面反應，將它的概念擴展到固體顆粒上。先在基材表面形成一個(gè)導電或非導電的種子層，然后將粉末在該種子層上均勻地分布。接下來(lái)，通過(guò)向反應室中引入適當的氣體，與粉末表面發(fā)生化學(xué)反應，使其在每個(gè)原子層上生長(cháng)一層薄膜。這個(gè)過(guò)程可以重復多次，直到達到所需的薄膜厚度。

 

　　具有許多優(yōu)點(diǎn)。

　　1、它具有較高的生長(cháng)速率，通常比傳統ALD快一個(gè)數量級。這是因為粉末作為反應物源可以提供更多的原子或分子，從而加快了薄膜的沉積速度。

　　此外，還具有較大的薄膜覆蓋面積，因為粉末可以均勻地分布在基材表面上，使得整個(gè)表面都能夠進(jìn)行原子層沉積。

 

　　2、另一個(gè)重要的優(yōu)勢是對于復雜形狀的基材具有較好的適應性。由于粉末可以填充到不規則表面的細微縫隙中，可以在曲率半徑很小的區域實(shí)現原子層沉積，從而保持了薄膜的均勻性和一致性。這使得它在納米器件、MEMS（微機電系統）和生物醫學(xué)等領(lǐng)域中具有廣泛的應用前景。

 

　　粉末原子層沉積是一種具有高生長(cháng)速率、大薄膜覆蓋面積和良好適應性的薄膜制備技術(shù)。