主要功能

　　具有熱ALD沉積氧化物、氮化物、貴金屬等薄膜材料的功能；具備未來(lái)等離子體增強ALD、Loadlock單元擴展功能。

　　應用

　　原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構）

　　原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱(chēng)為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱(chēng)為原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體物種，化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止，適當的過(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。

　　目前可以沉積的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金屬，碳化物，復合結構，硫化物，納米薄層等。中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機電系統（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結構，中空納米碗，存儲硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內部的涂層，納米線(xiàn)的涂層。

　　上述領(lǐng)域并不代表原子層沉積技術(shù)的所有可能應用領(lǐng)域，隨著(zhù)科技的發(fā)展在不遠的將來(lái)將會(huì )發(fā)現其越來(lái)越多的應用。根據該技術(shù)的反應原理特征，各類(lèi)不同的材料都可以沉積出來(lái)。已經(jīng)沉積的材料包括金屬、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各類(lèi)半導體材料和超導材料等?，F在原子層沉積系統有國際品牌和自主品牌兩類(lèi)。在國外品牌以劍橋（cambridge）最為悠久，全球銷(xiāo)售量幾百臺。其次以芬蘭的BENEQ和picosun，在g端ALD領(lǐng)域投入大量研發(fā)工作。近幾年，在國內已經(jīng)有幾家設備公司先后完成研發(fā)，在市場(chǎng)上推出自己的機型。