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雙腔室超高真空雙磁控測射系統在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽(yáng)極，而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線(xiàn)的運動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。

全自動(dòng)四腔超高真空雙傾角鍍膜系統專(zhuān)專(zhuān)業(yè)制備約瑟夫森結制備，可精確生長(cháng)所需的金屬層和氧化絕緣層，確保高性能制備及高成品率。

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雙腔室高真空等離子體ALD系統是對ALD技術(shù)的擴展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅體物質(zhì)的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。