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雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
桌面式原子層沉積系統ALD(Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
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