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桌面式原子層沉積系統ALD(Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
原子層沉積系統廠(chǎng)家(Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
粉末原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
雙腔體等離子體原子層沉積系統是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
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